增加功率低溫等離子體制樣表面的-C-O-C數(shù)量增加:
        隨著放電功率的增大，制樣表面的接觸角隨著放電功率的增大而增大。隨著處理時(shí)間的增加，氧化層厚度增加，含o官能團(tuán)的極性增強(qiáng)。低溫等離子體處理制樣后，制樣的親水隨低溫等離子體放電功率的增大而增加;低溫等離子體處理制樣后，制樣的親水隨著低溫等離子體放電功率的增大而減少。這是因?yàn)榈蜏氐入x子體處理技術(shù)等離子體處理制樣后，增加低溫等離子體放電功率會(huì)促進(jìn)低溫等離子體內(nèi)部的非活潑性粒子轉(zhuǎn)化為能量較高的易于參與反應(yīng)的活潑性粒子，有利于低溫等離子處理機(jī)與制樣表面的反應(yīng)，使制樣表面的氧元素含量升高，極性含氧官能團(tuán)數(shù)量增多，親水升高。

       隨著功率的進(jìn)一步增加，活性粒子從電場(chǎng)中獲得的能量增高，粒子間相互碰撞的幾率就變大，導(dǎo)致粒子能量損失，使得活性粒子與制樣表面的分子作用的幅度減弱，從而導(dǎo)致潤(rùn)濕性的相對(duì)下降，親水降低。這是因?yàn)殡S著處理時(shí)間的增加，制樣表面引人的極性含氧官能團(tuán)數(shù)量增多，表面極性增強(qiáng)。低溫等離子體處理后，制樣表面的-C-O-C數(shù)量增加，但隨著低溫等離子體處理時(shí)間的增加，表面的-C-O-C數(shù)量逐漸減少，這是因?yàn)樘幚頃r(shí)間增加后，氧化能力增強(qiáng)，氧化層增厚，制樣表面引人的-C-O-C被進(jìn)一步氧化成-C=O造成的。