等離子清洗設(shè)備芯片的引線鍵合有無(wú)可替代的優(yōu)點(diǎn)：
        CRF等離子清洗設(shè)備在微電子封裝方面擁有著寬廣的推廣前景。等離子體清洗技術(shù)的成功應(yīng)用在于工藝參數(shù)的優(yōu)化，包含工藝壓力、等離子體刺激次數(shù)和輸出功率、時(shí)間和工藝氣體類型、反應(yīng)腔和電極的配置以及待清洗工作部件的位置。在半導(dǎo)體后生產(chǎn)過(guò)程中，鑒于指紋、焊劑、焊料、劃痕、污漬、污垢、灰塵、樹脂殘留、自熱氧化、有機(jī)質(zhì)等，在設(shè)備和材料表面響封裝生產(chǎn)和產(chǎn)品質(zhì)量，采用等離子清洗設(shè)備技術(shù)，能方便的清除生產(chǎn)過(guò)程中形成的分子水平污染，顯著提升封裝的可制造性、可靠性和成品率。

       在芯片封裝生產(chǎn)中，等離子清洗設(shè)備工藝的選擇在于后續(xù)工藝對(duì)材料表面的要求、材料表面的原始特性、化學(xué)成分和表面污染物的性質(zhì)。
        芯片、微電子機(jī)械系統(tǒng)MEMS在封裝中，基板、底座和芯片之間有大量的電線鍵，這仍然是實(shí)現(xiàn)芯片焊盤與外部電線連接的重要途徑。如何提高電線鍵的強(qiáng)度一直是行業(yè)研究中的一個(gè)問(wèn)題。射頻驅(qū)動(dòng)低壓等離子清洗設(shè)備技術(shù)是一種有效、低成本的清洗方法，可有效清除氟化物、鎳氫氧化物、有機(jī)溶劑殘留、環(huán)氧樹脂溢出、材料氧化層、等離子體清洗和鍵合，將顯著提升鍵合強(qiáng)度和鍵合電線張力的均勻性，對(duì)提高電線鍵合強(qiáng)度擁有著重要作用。電線鍵合前，氣體等離子體技術(shù)可用于清潔芯片觸點(diǎn)，提高組合強(qiáng)度和輸出。